红外阵列测温芯片的测试方法及测试装置

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红外阵列测温芯片的测试方法及测试装置
申请号:CN202511452847
申请日期:2025-10-13
公开号:CN120907670B
公开日期:2025-12-05
类型:发明专利
摘要
本发明提供了红外阵列测温芯片的测试方法及测试装置,其中测试方法包括采集芯片在第一温度点T1下的第一环温ADC值;在激励光源关闭状态下,采集芯片的第一目标ADC‑off值;在激励光源开启状态下,采集芯片的第一目标ADC‑on值;根据第一目标ADC‑off值和第一目标ADC‑on值,进行第一级良品判断;采集芯片在第二温度点T2下的第二环温ADC值;基于第一环温ADC值、第二环温ADC值、第一温度点T1和第二温度点T2,计算环温响应率;根据环温响应率是否处于第一预设范围内,进行第二级良品判断,对芯片进行高效、准确的功能性激励与测试。
技术关键词
测温芯片 芯片标记 测试方法 不良品 阵列 光源 工作台 控制板 测试组件 特征值 测试针 强度