摘要
本发明涉及MEMS微传感器技术领域,公开了一种微型压差传感器及其制造方法。所述传感器基于SOI基片采用梁膜一体化结构,SOI基片包括器件层、埋氧层和衬底层,衬底层设压力敏感膜,器件层设由压敏电阻组成的惠斯通电桥;封装采用TO结构,通过U型电路板实现电极与插针连接,玻璃件经激光加工通气孔且与基片键合,腔室密封且芯片双面受压。制造方法包括SOI预处理、光刻刻蚀、LPCVD沉积、阳极键合、玻璃加工及封装等步骤。本发明通过结构优化提升传感器的灵敏度与线性度,实现100±1kPa量程下器件微型化集成与高精度测量。