一种待封装芯片、制备方法及半导体器件

本申请提供了一种待封装芯片、制备方法及半导体器件，待封装芯片包括：初始芯片，所述初始芯片包括顶层金属层；凸块结构，设置在所述初始芯片的顶层金属层之上，所述凸块结构包括第一氧化层、钝化层、第二氧化层和外接金属层，所述钝化层设置在所述第一氧化层和所述第二氧化层之间，所述第一氧化层最靠近所述顶层金属层，所述金属层外接作为所述凸块结构的顶层且连接所述顶层金属层。