基于FDTD算法的光MEMS微镜芯片电-力多物理场耦合分析方法

本发明公开了一种基于FDTD算法的光MEMS微镜芯片电‑力多物理场耦合分析方法，涉及MEMS微镜芯片，包括：建立三维MEMS微镜芯片的几何模型并对其进行参数设置和边界条件设置以及网格剖分；基于网格划分后的三维MEMS微镜芯片的几何模型，构建电‑力耦合方程；其中，电‑力耦合方程包括静电场方程、无源场泊松方程、电场应力张量方程和力学运动方程；利用时域有限差分算法对电‑力耦合方程进行求解，得到电‑力耦合方程中的各项物理参数，并根据其得到三维MEMS微镜芯片的偏转角度和内部应力变化。本发明能够快速、准确地计算出三维MEMS微镜芯片在电压加载下随时间演化的动态偏转角度和内部应力变化。