摘要
本公开提供了一种半导体器件，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件电场分布不均匀问题；该半导体器件，包括：衬底、外延层、源极、漏极、栅极和电场调制区；外延层设于衬底上；源极、漏极和栅极嵌设于外延层；电场调制区，设于外延层远离衬底的一侧，且嵌设于外延层；电场调制区包括相互连接的第一电场调制子区和第二电场调制子区，第二电场调制子区包括第一部分和第二部分；第一部分位于第一电场调制子区远离衬底的一侧，第二部分位于第一电场调制子区远离漏极的一侧；第一部分和第二部分相连接，第一电场调制子区的掺杂类型与外延层的掺杂类型相同，第二电场调制子区的掺杂类型与外延层的掺杂类型不同；掺杂类型为P型掺杂和N型掺杂。
