研磨的控制方法、研磨的控制系统及研磨方法

本申请提供了一种研磨的控制方法、研磨的控制系统及研磨方法，该研磨的控制方法应用于对研磨工序的前道工序制得的半导体结构进行研磨的研磨工序，该研磨工序包括第一子研磨工序和第二子研磨工序。该研磨的控制方法包括：获取对半导体结构执行第一子研磨工序前后的前序厚度和保留厚度；根据前序厚度、保留厚度、第一预设研磨参数和第二预设研磨参数，结合研磨时间补偿系数确定规则和研磨压力补偿系数确定规则，确定第二子研磨工序的补偿研磨时间和多个研磨区域的补偿研磨压力；基于补偿研磨时间和多个研磨区域的补偿研磨压力，控制第二子研磨工序的执行。通过本申请实施例，提升了研磨得到的半导体结构整体的厚度均匀性。