一种氮化镓基发光二极管外延结构及制备方法

本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延结构及制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的AlN成核层，该成核层中包含多个气孔以形成光散射结构；依次设置在AlN成核层上的N型GaN层、包含铟组分渐变量子阱的活性层、以及电子阻挡层和P型GaN层。在P型GaN层的侧向边缘设置了边缘终止层，该层通过N离子梯度掺杂，形成逐渐变化的电荷分布，以平滑边缘电场。本发明通过光散射结构和优化的活性层设计显著提高了光输出效率，同时通过创新的边缘终止层结构大幅提升了器件的反向击穿电压和工作可靠性。