一种微腔光频梳激光器芯片结构及其制备方法

本发明公开了一种微腔光频梳激光器芯片结构及其制备方法，所述方法包括：在衬底上通过外延生长方法从下至上依次获得n型下包层、n型下波导层、发光的有源区以及p型上波导层，然后利用光刻刻蚀得到回音壁模式微腔；在上波导层进行光刻，制备位于微腔上方的加热层，用于调节微腔中的相位；在上波导层再次光刻，制备加热层的接触电极以及p型电极；生长氧化硅作为绝缘层对波导结构进行保护，并防止短路；再次光刻刻蚀，制备p型电极的接触电极的通孔；对衬底进行减薄和剥离，然后制备n型电极，得到微腔激光器。本发明通过一颗激光器芯片就可以实现激光和光频梳两种模式发射，能够极大提高微腔的品质因子，能够在较低的泵浦功率下实现克尔光频梳。