一种倒装LED芯片及其制备方法

AITNT-国内领先的一站式人工智能新闻资讯网站
# 热门搜索 #
一种倒装LED芯片及其制备方法
申请号:CN202511543563
申请日期:2025-10-28
公开号:CN121038465A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明提供的一种倒装LED芯片及其制备方法,倒装芯片的电极结构中包含依次层叠的连接金属层、钝化层、保护金属层和共晶金属层;钝化层完全覆盖LED芯片的表面,有效阻断外界环境中水汽、颗粒等与芯片的接触路径;钝化层和保护金属层相互配合对芯片形成了完整的隔绝,有效避免基板上的颗粒物和金属凸起物刺伤芯片;同时,保护金属层面积大于共晶金属层且覆盖钝化层的通孔,保护金属层的边缘超出共晶金属层边缘。将LED芯片焊接至基板时,在共晶焊接的典型工艺温度下,保护金属层保持固态,不发生熔融液化,能有效阻挡液化的共晶金属流动至芯片内部,避免接触芯片内部的金属发生漏电、短路等电性不良问题。
技术关键词
倒装LED芯片 半导体多层结构 金属反射层 复合反射层 p型半导体层 欧姆接触层 共晶 通孔 导电 沉积接触金属层 生长衬底 芯片焊接 倒装芯片 电极结构 包裹