压力传感器芯片及其制造方法

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压力传感器芯片及其制造方法
申请号:CN202511544225
申请日期:2025-10-28
公开号:CN121026374A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
一种压力传感器芯片及其制造方法,涉及压力传感器技术领域。一种压力传感器芯片,包括外延层、传感模块和屏蔽层,所述外延层为第一导电类型;所述传感模块设置在所述外延层内,所述传感模块为第二导电类型;所述外延层和所述传感模块组成第一PN结;屏蔽层设置在外延层的一侧且与所述传感模块接触,所述屏蔽层为第一导电类型,所述屏蔽层和所述传感模块组成第二PN结;其中,所述外延层和所述屏蔽层包裹所述传感模块以将所述传感模块与其周围区域电隔离。本申请可以减少漏电流,从而提高压力传感器的检测精度和工作稳定性,避免非线性误差增大,满足各应用场景中对高精度、高可靠性的需求。
技术关键词
压力传感器芯片 传感模块 屏蔽层 外延 PN结 导电 焊盘 涂覆光刻胶 衬底 引线 压力传感器技术 电阻 非线性误差 氮化硅 漏电流 二氧化硅 上沉积