兼容CMOS工艺的MEMS致动冷却芯片及制作方法

本申请提供了兼容CMOS工艺的MEMS致动冷却芯片及制作方法,涉及半导体冷却领域，包括致动器、反向振动结构和支撑结构，反向振动结构包括反向振动板，反向振动板上集成有CMOS驱动电路，CMOS驱动电路分别与致动器和反向振动板电连接并输出相位差相反的驱动电压，反向振动结构在致动器下方形成第一空腔；支撑结构设置在反向振动结构上，并形成与外界连通的第二空腔，致动器上设置有连通第一、第二空腔的气孔，支撑结构的上方用于设置芯片本体，本发明可兼容CMOS标准工艺，能与紧凑型电子设备的驱动控制电路实现单片集成，减少芯片间的互连损耗，同时降低因工艺不兼容导致的生产成本与集成难度。