一种SiC功率器件封装可靠性检测方法及系统

本申请涉及半导体器件检测技术领域，提供一种SiC功率器件封装可靠性检测方法及系统，其检测方法包括如下步骤：构建多物理场耦合有限元模型，运行有限元模型获得初始仿真数据，通过对初始仿真数据进行参数敏感性分析确定典型失效模式的关键应力参数组合；采集SiC功率器件工作参数并进行实时校准及去噪得实测数据，生成关键区域温度梯度图谱；通过深度强化学习算法对初始仿真数据与实测数据进行分析后并对关键应力参数组合及关键区域参数进行迭代优化；设定失效判据阈值，并进行趋势预测，将趋势预测结果与失效判决阈值进行对比，根据对比结果执行多级响应策略。本申请能够实现SiC功率器件封装可靠性在多物理场耦合场景下的准确检测。