MIM电容器及其制作方法

本发明提供一种MIM电容器及其制作方法，所述方法包括：提供包括器件区与虚拟区的基底，在基底内形成第一浅沟槽；在第一浅沟槽内填充第一多晶硅；刻蚀第一多晶硅在第一浅沟槽内形成第二浅沟槽；在第二浅沟槽内填充介质层；刻蚀介质层在第二浅沟槽内形成第三浅沟槽；在第三浅沟槽内填充第二多晶硅；对虚拟区内的第一多晶硅与第二多晶硅进行离子注入形成下极板与上极板。本发明在前段工艺中制作MIM电容器，不需要额外的掩膜版，与现有技术相比，节省了一张掩膜版的使用，降低了生产成本；同时，本发明的MIM电容器不占据金属层的面积，增加了芯片主体使用面积，提高了器件的集成度。