高精度的单晶硅片切割装置及其切割方法

本发明提供了高精度的单晶硅片切割装置及其切割方法，通过基于待切割单晶硅片的尺寸参数，确定需要待切割单晶硅片的切割排列特征，为切割参数的确定提供基础，基于切割排列特征，基于切割装置特征，利用神经网络模型确定对待切割单晶硅片的切割速度，压力和刀片位置，在切割前准确确定出切割参数，然后基于切割速度，压力和刀片位置，确定对切割装置的控制参数，并按照控制参数对待切割单晶硅片进行切割，实现对待切割单晶硅片的高精度控制切割，最后，基于切割后得到的目标单晶硅片与标准单晶硅片之间的差异，确定对控制参数的调整方案，实现对控制参数的实时调整，提高单晶硅片的良率。