与光刻模型有关的方法、设备和介质

根据本公开的示例实施例提供了与光刻模型有关的方法、设备和介质。该方法确定在晶圆上形成的晶圆图案的第一轮廓，并确定利用模型对掩模图案进行光刻仿真而得到的仿真图案的第二轮廓。随后，确定与第一轮廓和第二轮廓的差异有关的目标度量，以评估或校准光刻仿真模型。以此方式，可以充分利用得到的仿真图案的信息对仿真过程中使用的模型进行评估或校准。由此，可以提高评估结果的准确性和可靠性。