一种大功率芯片微电子封装缺陷检测方法

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一种大功率芯片微电子封装缺陷检测方法
申请号:CN202411136182
申请日期:2024-08-19
公开号:CN119151868A
公开日期:2024-12-17
类型:发明专利
摘要
本发明属于微电子封装缺陷技术领域,具体涉及一种大功率芯片微电子封装缺陷检测方法。本发明方法消除大功率芯片微电子封装图像中的噪声时,在腐蚀操作阶段通过一个结构元素,通常称为核与图像进行逐像素的比较。当结构元素完全覆盖对应图像区域时,设置输出图像对应像素为芯片微电子封装表面图像的前景,否则,即为芯片微电子封装表面图像的背景;在膨胀操作阶段,执行方式与腐蚀操作相反。借助Hough变换检测芯片微电子封装表面图像中的参考直线及特征点,确定芯片微电子封装表面图像的旋转角度,并进行适应性校正。采用最大类间方差法即Otsu方法对其进行阈值分割处理,并根据阈值分布情况,确定封装缺陷的具体状态。
技术关键词
微电子封装 大功率芯片 缺陷检测方法 检测芯片 校正 类间方差 元素 直线 特征点 噪声 缺陷技术 识别特征 像素点 阶段 图像像素 参数 图像分割
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