利用MoS2增强MoS2/GaAs系统中相干声学声子信号的方法及装置
申请号：CN202411579424
申请日期：2024-11-07
公开号：CN119510313B
公开日期：2025-09-26
类型：发明专利
摘要
本发明公开了一种利用MoS2增强MoS2/GaAs系统中相干声学声子信号的方法及装置，包括：将MoS2作为换能器放大GaAs材料中相干声学声子，并通过调节MoS2厚度控制MoS2/GaAs系统相干声学声子信号放大幅度，其中，MoS2厚度为40nm‑130nm。本发明通过传输矩阵的方法来提前预测和选择最佳厚度来实现放大倍数的最大，便于提取数据，更有利于无损的对芯片等半导体材料的缺陷等精密信息的提取。
技术关键词
反射率
信号
换能器
矩阵
半导体材料
泵浦
表达式
空气
脉冲
界面
数值
关系
参数
芯片
数据
