摘要
本发明提供了一种SIC芯片及其制造方法，属于半导体领域。该SIC芯片制造方法包括提供一SIC芯片，在通孔的内壁和底部沉积钝化层，且钝化层延伸至通孔周围的金属覆盖层；在钝化层的表面形成第一PI层，并填充通孔；在第一PI层表面形成第二PI层，其中，第一PI层和第二PI层胶性相反；在第二PI层表面形成塑封层，塑封层将第二PI层和金属覆盖层覆盖。本发明通过形成胶性相反的两层PI层。使用两层PI层，可以形成SIC芯片表面应力梯度结构，有效减少热循环过程中塑封料与SIC芯片之间的剪切应力，从而能够降低SIC芯片的边缘和拐角的剪切应力，进而能够避免SIC芯片与塑封料分层，以及SIC芯片开裂，进一步能够避免器件物理性质异常以及电性失效。
