一种优化光刻机临界尺寸均匀性的方法

本发明提供一种优化光刻机临界尺寸均匀性的方法，包括以下步骤：确认光刻工艺的最小设计规格，并根据所述最小设计规格生成线宽量测图形；提供光罩，所述光罩包括芯片区域，所述芯片区域内分布有多个间距设置的所述线宽量测图形；通过光刻工艺将所述光罩中的所有所述线宽量测图形转移至晶圆上，以形成曝光单元，并量测每个所述曝光单元中所有所述线宽量测图形的线宽数据，并根据所述线宽数据对每个所述曝光单元内的临界尺寸均匀性进行补正，以改善晶圆内每个曝光单元内的临界尺寸均匀性，同时节省了切割道区域空间，有利于缩小切割道占用空间。