一种基于C2W键合的芯片中硅衬底去除方法

本申请提供了一种基于C2W键合的芯片中硅衬底去除方法，属于电光调制器技术领域，具体包括在第一衬底上依次形成波导芯和金属电极，波导芯和金属电极上覆盖钝化层，金属电极位于波导芯的两侧；在金属电极的上方进行开孔，形成孔结构；在钝化层上方与金属电极相对应的区域形成保护层，保护层通过孔结构将金属电极覆盖；制备芯片，芯片包括依次叠层设置的第二衬底、牺牲层、氧化硅层和电光材料层；将钝化层上方与波导芯对应的区域与芯片的电光材料层进行键合；键合后通过去除牺牲层将第二衬底去除；去除保护层。本申请通过设置牺牲层，去除硅衬底时不存在硅残留或过刻蚀下层氧化硅的风险，提高了电光材料的调制性能。