多波长激光芯片以及多波长激光芯片的制备方法

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多波长激光芯片以及多波长激光芯片的制备方法
申请号:CN202510188802
申请日期:2025-02-20
公开号:CN119674683B
公开日期:2025-07-25
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种多波长激光芯片以及多波长激光芯片的制备方法,涉及激光技术领域。其中,多波长激光芯片包括:多个激光单元,每一个激光单元包括:微型光学谐振腔;耦合在微型光学谐振腔表面的稀土增益材料层;其中,微型光学谐振腔的谐振模式与稀土增益材料层的光学增益谱线中的一种预设波长匹配;其中,当泵浦光照射到任一激光单元的稀土增益材料层时,激光单元的稀土增益材料层发射出宽谱荧光,宽谱荧光中,与激光单元的微型光学谐振腔的谐振模式匹配的预设波长的荧光,在激光单元的微型光学谐振腔的谐振和选模作用下,被加强产生预设波长的激光。本发明可以提供一种高性能、高稳定性的1.5μm纳米多波长激光芯片。
技术关键词
微型光学谐振腔 化合物纳米材料 稀土 激光 多波长 聚焦离子束刻蚀 芯片 荧光 剥离方法 模式匹配 光子器件 光子集成器件 衬底 基底 气相沉积技术 机械
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