一种多层芯片屏蔽结构及其制备方法

本发明公开了一种多层芯片屏蔽结构及其制备方法，涉及屏蔽罩技术领域，包括：金属罩，所述金属罩为多层结构，分别为抑制层、吸收层和反射层。通过上述结构的设计，本发明依旧采用金属罩的形式形成屏蔽结构，但是与现有技术不同的是，本发明为多层结构，位于最内侧的是采用纳米银涂层或梯度孔隙金属泡沫制成的抑制层，实现对近场电场的抑制效果。吸收层可以实现高频吸收，不会出现热堆积的现象。反射层可以反射低频电磁波，从而实现低频反射的效果。本发明在以金属罩作为屏蔽结构的同时引入了多层结构设计，有效地克服了单层屏蔽结构对高频信号屏蔽效率有限、塑封屏蔽容易产生热堆积，以及复合材料屏蔽波段范围较窄的问题。