摘要
本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片。该器件包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区及栅极结构，体区及漂移区形成于衬底中，源区连接源极金属层，漏区连接漏极金属层，栅极结构包括栅氧化层、多晶硅栅极、多晶硅电阻以及金属硅化物层，多晶硅栅极及多晶硅电阻形成于栅氧化层的表面，金属硅化物层形成于多晶硅栅极的表面，多晶硅栅极通过金属硅化物层与多晶硅电阻形成导电通道；多晶硅栅极的侧端设有氮化硅侧墙，氮化硅侧墙与漏极金属层相接，多晶硅栅极、氮化硅侧墙及漏极金属层构成电容结构。本发明为等效于RC型ESD保护电路的高压ESD器件，缩小了ESD器件的面积。
