用于芯片离子阱的电极电势标定方法

本发明公开了一种用于芯片离子阱的电极电势标定方法，属于离子阱量子计算技术领域，该方法包括：基于仿真模型计算离子链沿离子阱轴向发生移动需要的电极电压值；对离子阱施加电极电压值，测量离子链囚禁频率和各离子的平衡位置；将电极电压值代入外部电场解析模型，计算离子链囚禁频率以及各离子平衡位置的外部电场强度；构造总损失函数，优化所述外部电场解析模型。本发明提供的技术方案通过构建包含杂散场的外部电场解析模型,结合仿真数据进行初步实验测量，并以实验数据为基础构造多个损失函数来对电场解析模型进行优化，不仅提升了电极电势标定效率，而且增强了离子阱电极电势的标定精度。