铁酸铋薄膜中铁电畴调控热导率的模拟方法、系统及介质
申请号:CN202510592389
申请日期:2025-05-09
公开号:CN120108552B
公开日期:2025-08-01
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种铁酸铋薄膜中铁电畴调控热导率的模拟方法、系统及介质,主要涉及铁酸铋薄膜技术领域,用以解决现有方案难以有效解析铁电畴壁原子构型与热输运特性的构效关系、铁电畴壁的热激活迁移过程涉及多物理场耦合效应,采用常规仿真手段难以实现精准的问题。包括:获得NEP势函数;计算每个预设温度下的单畴、双畴BFO分子模型之间的热开关比;获得热开关比随温度变化的理论最大值,获取理论最大值对应的具体温度;在具体温度下,获取BFO分子模型热开关比随预设畴壁数量变化的变化曲线,获得理论最大值对应的具体畴壁数量;将理论最大值对应的具体温度和具体畴壁数量作为最终的指导条件。
技术关键词
分子模型
训练集
热开关
铁酸铋薄膜技术
理论
非易失性计算机存储介质
模拟系统
软件
生成结构
数据存储
曲线
程序
模块
场景
命令
格式