一种用于电子元器件的真空溅射银合金电极及其制备方法

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一种用于电子元器件的真空溅射银合金电极及其制备方法
申请号:CN202510767956
申请日期:2025-06-10
公开号:CN120738613A
公开日期:2025-10-03
类型:发明专利
摘要
本发明涉及电极制备技术领域,具体涉及一种用于电子元器件的真空溅射银合金电极及其制备方法,本发明通过对基底的预处理,有效增强了银合金电极与基底的结合力,降低了因附着力问题导致的废品率。制备银合金溅射靶材及智能真空溅射系统的应用,确保了溅射过程的稳定性和电极性能的一致性,减少了工艺波动引发的次品。多阶段溅射工艺结合实时监测与机器学习优化,不仅提高了电极的导电性、耐腐蚀性等关键性能,还实现了对制备过程的控制,缩短了生产周期。复合封装与热处理、表面功能化处理强化了电极的防护性能和可靠性。批量性能终检与筛选机制确保了交付电极的高品质,减少了售后返修,整体上极大地提升了生产效率。
技术关键词
真空溅射系统 合金电极 银合金溅射靶材 电子元器件 基底 等离子清洗设备 多阶段 铸造成型模具 机器学习优化 超声波清洗设备 参数优化模型 实时数据 检测设备 机器学习算法 数据分析模块 熔炼设备
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