一种高良率高集成2.5D封装结构及封装方法

本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种高良率高集成2.5D封装结构及封装方法。括若干间隔设置的中介层芯片，中介层芯片两侧表面分别设有导电结构一，中介层芯片一侧表面通过导电结构二连接硅桥芯片、HBM芯片、SoC芯片，并且硅桥芯片一侧分别连接相邻的两个中介层芯片，中介层芯片另一侧表面通过导电结构一连接对外电连接结构。同现有技术相比，将已知良率的中介层芯片进行fan out后晶圆重构形成一个大面积的中介层，从而提升大面积中介层的良率并提高集成度；已知良率的中介层芯片中间通过硅桥互连而不是基板互连，从而提升带宽。