一种功率半导体器件的高温测试方法

本发明公开了一种功率半导体器件的高温测试方法，涉及量子热控技术领域，包括，实时采集功率半导体器件边缘区域的温度场及表面电导率数据，同步施加规定工作电压的电应力至功率半导体器件；基于温度场重构内部热位移场，生成校准热位移场，结合表面电导率数据计算边缘区域拓扑陈数；依据热力学熵产率峰值空间位置生成热失效风险分布图谱，锁定高熵变功率密集区域；关联高熵变功率密集区域动态调整电应力施加方向，完成全周期高温测试后输出热失效诊断报告。本发明通过量子化校准热位移场与经典温度梯度的张量场协同映射，实现高温工况下热力学熵产峰值的亚微米级实时定位。