摘要
本公开的实施例涉及光源掩模处理方法、电子设备及存储介质。该方法包括:以第一精度格式对初始光源图形和初始掩模图形应用光刻模型,以生成仿真晶圆图像;以第二精度格式确定指示仿真晶圆图像与目标图形的差异的度量指标,第二精度格式的精度高于第一精度格式的精度;基于度量指标确定更新的光源图形和更新的掩模图形;以及响应于度量指标满足预定条件,将与满足预定条件的度量指标对应的光源图形和掩模图形分别确定为优化的光源图形和优化的掩模图形。本公开的方案能够显著提高光源掩模优化过程中的计算速度并减少对计算资源和存储资源的消耗。