摘要
提供了一种划裂方法，属于半导体制造领域。该方法包括：在发光二极管芯片远离蓝宝石衬底的一面贴附第一蓝膜，蓝宝石衬底的厚度大于220微米；在进行发光二极管芯片的划片时，控制双焦点激光器两个焦点在发光二极管芯片内的距离为35～45μm，同时控制两个焦点中距离蓝宝石衬底较远的焦点到蓝宝石衬底表面距离为105～115μm，并且在蓝宝石衬底的斜裂面处距离小于非斜裂面处距离4～6μm。通过上述设计，避免裂片时正面因为蓝宝石衬底较厚，导致远离蓝宝石衬底一侧划片效果不佳造成电极产生轻微翘起，提高了微型发光二极管产品的良率。
