一种二维环栅晶体管的制备方法、二维环栅晶体管及芯片

本发明提供一种二维环栅晶体管的制备方法、二维环栅晶体管及芯片，首先在加工基底上制备背电极；采用可控氧化工艺或原子层沉积工艺制备二维半导体‑外层栅介质环栅异质结；二维半导体‑外层栅介质环栅异质结包括二维半导体沟道和外层栅介质；将二维半导体‑外层栅介质环栅异质结设置到背电极上；在二维半导体‑外层栅介质环栅异质结的第一区域上形成环栅电极，环栅电极和背电极对第一区域的二维半导体‑外层栅介质环栅异质结全包覆；在二维半导体‑外层栅介质环栅异质结的第二区域和第三区域上刻蚀源极/漏极接触区域；在源极/漏极接触区域上原位形成源极/漏极。本发明的二维环栅晶体管符合埃米节点对于低功耗、高性能晶体管的要求。