防行锤攻击的DRAM芯片、测试系统及测试方法

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防行锤攻击的DRAM芯片、测试系统及测试方法
申请号:CN202510032541
申请日期:2025-01-09
公开号:CN119418750B
公开日期:2025-05-09
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种防行锤攻击的DRAM芯片、测试系统及测试方法,涉及芯片安全技术领域,其DRAM芯片,DRAM芯片内设置有一个或多个DRAM DIE芯片,根据接收访问信号,以将数据读入行缓冲内,包括:存储芯片,将存储每一DRAM DIE芯片的最高允许访问频率值及对应的控制地址进行发送;攻击检测控制芯片,将接收外界发送的访问信号转发至DRAM DIE芯片内,还当根据行锤攻击检测模式检测到某一DRAM DIE芯片内存在行锤攻击受害行时,发出刷新信号,以对受害行进行刷新,或当检测受害行不可进行刷新时,根据接收最高允许访问频率及对应控制地址,以控制发往该芯片的访问信号的频率。如此,通过刷新或针对不同自适应降低访问频率,以使芯片免受行锤攻击的同时,提升芯片的工作效率。
技术关键词
存储芯片 DRAM芯片 控制芯片 测试方法 频率 模式检测 芯片测试系统 信号 数据 可读存储介质 指令 缓冲 计算机 处理器
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