摘要
本公开提供了一种应用于超分辨光刻的掩模版图及其边界优化方法，涉及集成电路制造技术领域，边界优化方法包括：获取掩模版图的图形边界信息，其中，图形边界为掩模版图中图形区域与非图形区域的边界；对掩模版图进行正向仿真和伴随仿真，分别得到正向电场分布和伴随电场分布；基于图形边界信息、正向电场分布和伴随电场分布，计算各个图像边界的梯度；根据各个图像边界的梯度对掩模版图的图形边界进行迭代更新；重复上述步骤，直至更新后的掩模版图所对应的光刻胶图形与目标图形之间的图形误差在误差范围内或者迭代次数大于最大迭代次数，输出边界优化后的掩模版图。
