一种半导体器件结构及其制备方法和芯片

本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法和芯片，属于半导体器件技术领域。半导体器件结构，包括金银合金凸块和UBM层，其中UBM层由种子层、扩散阻挡层和粘附层组成，或者由扩散阻挡层和粘附层组成；所述扩散阻挡层由铂族元素单质和/或包含铂族元素的合金构成，优选由铂、铑、铱或它们的合金构成；金银合金凸块底部与种子层或扩散阻挡层连接，粘附层与芯片电极连接。本发明通过对UBM层的改进，提高金银合金凸块与UBM层的结合可靠性，获得的半导体器件结构能够通过高端芯片可靠性测试，实现金银合金替代金制备倒装芯片。