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外延结构及其制备方法、通信芯片
申请号:
CN202510452961
申请日期:
2025-04-11
公开号:
CN120322142A
公开日期:
2025-07-15
类型:
发明专利
摘要
本公开提供了一种外延结构及其制备方法、通信芯片。其中,外延结构的制备方法包括以下步骤:提供衬底;在所述衬底上采用磁性材料外延生长至少一个磁性层。本公开通过将永磁体的制造工艺向芯片的制造工艺靠拢,具体地,在衬底上采用磁性材料外延生长磁性层,解决了永磁体和芯片在制造工艺上不兼容的问题,从而实现将永磁体集成到半导体芯片上。
技术关键词
磁性层
外延结构
磁性材料
衬底
外延生长工艺
通信芯片
金属有机化合物
半导体层
永磁体
半导体芯片
稀土金属
模版
气相
分子
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