一种集成同质微透镜阵列的Micro-LED芯片阵列及其制备方法

本发明公开了一种集成同质微透镜阵列的Micro‑LED芯片阵列及其制备方法，所述方法包括Micro‑LED发光像素阵列与CMOS驱动电路基板的晶圆级精准键合及衬底去除，然后通过光刻、热熔回流及干法刻蚀技术，在GaN基像素阵列上集成同质像素级GaN微透镜阵列，最后采用金属互连工艺，实现Micro‑LED芯片全像素共阴极导通。该方法下，Micro‑LED像素阵列与微透镜阵列为同质集成，两者为同种材料，无折射率差异，因此界面上无菲涅尔损耗，提高芯片光提取效率。此外，本发明所述之方法，制造工艺简单、成本低廉，芯片结构可靠性好、稳定性强，适合应用于产业化芯片制造。