摘要
本发明涉及半导体器件及装置技术领域，特别是涉及一种LED芯片及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：1)光刻：在外延层上光刻出所需图形；所述N‑GaN层的顶部、多量子肼层和P‑GaN层形成LED芯片的N区，所述N‑GaN层的底部和部分衬底上设有切割道；2)深刻蚀：利用ICP技术进行深刻蚀，以至少暴露出N‑GaN层；3)角度刻蚀：利用IBE进行角度刻蚀，以使所述N区侧壁和/或切割道顶缘的侧壁呈倒梯形；4)制作透明导电层、沉积保护层、P电极和N电极，即得到所述LED芯片。本发明工艺提高了LED芯片的出光效率，从而提高了外量子效率；本发明工艺稳定，有利于良率提升；可省去切割工艺步骤，有利于良率的提升，缩短了后道加工流程，控制成本。
