一种碳化硅功率模块的封装结构以及封装方法

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一种碳化硅功率模块的封装结构以及封装方法
申请号:CN202410869781
申请日期:2024-06-28
公开号:CN119153377A
公开日期:2024-12-17
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种碳化硅功率模块的封装结构以及封装方法,封装结构包括第一封装结构,第一封装结构用于将DTS单组件从DTS承载膜上剥离并转移;第一封装结构包括定位机构和第一转移机构,定位机构用于对DTS单组件进行定位、支承,第一转移机构用于将DTS单组件从DTS承载膜上剥离并转移;定位机构包括具有容置腔室的第一壳体以及设于所述第一壳体顶部的第一顶帽,所述第一顶帽的顶面为不具有孔结构的平面。本发明所述碳化硅功率模块的封装结构在不对所述DTS承载膜的底面进行吸附的条件下,将DTS单组件从DTS承载膜上剥离并避免了真空吸附造成的DTS单组件在碳化硅功率模块封装过程中发生形变或者脱落。
技术关键词
碳化硅功率模块 封装结构 碳化硅芯片 顶针机构 封装方法 顶针组件 顶帽 壳体 承载膜 弹性复位件 孔结构 导向杆 驱动组件 基座 真空 驱动件 工位 单体
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