半导体装置、集成电路器件及其制造方法

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半导体装置、集成电路器件及其制造方法
申请号:CN202411532094
申请日期:2024-10-30
公开号:CN119517867A
公开日期:2025-02-25
类型:发明专利
摘要
热电冷却器(TEC)定位为将热量从半导体芯片上的热点移动出去并且朝着介电衬底移动。这种热管理方法当与掩埋轨和背侧电源输送结合使用时特别有效。TEC可以位于IC封装件的两个器件层之间的包含焊料连接的层中。可选地,TEC可以位于半导体衬底上方的金属互连结构中,诸如位于金属互连结构的顶部处的钝化堆叠件中。这些位置中的任一个处的TEC可以通过晶圆层级处理来形成。本申请的实施例还涉及半导体装置、集成电路器件及其制造方法。
技术关键词
热电冷却器 金属互连结构 集成电路器件 半导体衬底 钝化堆叠件 半导体装置 金属化 介电层 焊料凸块 半导体器件 热管理方法 通孔 IC封装 半导体芯片 导线 电源
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