一种用于TEM原位电学测量的二维材料晶体管器件的制备方法

本发明公开了一种用于TEM原位电学测量的二维材料晶体管器件的制备方法，该方法通过电子束曝光技术，在器件区域形成电子束曝光胶隔离层，并结合双束系统(FIB‑SEM)进行原位加工与沉积。利用双束沉积系统定向沉积铂(Pt)材料，对二维材料晶体管器件的二维源/漏电极进行纵向牵引，使其在双束进行TEM样品提片中，实现二维源/漏电极可视化。随后，通过精确牵引与焊接工艺，将电极与专用芯片连接，实现器件在TEM环境下的原位电学测量。该方法有效保持二维FET器件的本征源‑漏‑栅结构，克服了传统TEM样品制备中二维场效应晶体管电极连接困难的问题，为二维材料电学‑结构协同表征提供了新型、可靠的技术路径。